ON 場效應管

### ON 場效應管 (Power MOSFET) #### 概述 本文将详细介绍一款由半导体组件工业公司（Semiconductor Components Industries, LLC）于2009年9月发布的高性能大功率场效应管（Power MOSFET）——NTMS4937N。该器件属于N通道类型，封装形式为SO-8。它具有低导通电阻、低电容以及优化的栅极电荷等特性，旨在降低传导损耗、驱动损耗和开关损耗，同时符合环保标准，不含铅、卤素及溴化阻燃剂，并且符合RoHS指令。 #### 特性 - **低导通电阻**：低导通电阻能够有效地减少器件在导通状态下的功率损耗。 - **低电容**：低输入与输出电容有助于减少驱动电路的复杂性和损耗，提高整体系统的效率。 - **优化的栅极电荷**：通过优化栅极电荷，可以有效降低开关过程中的能量损耗，进一步提升系统的能效比。 - **环境友好型材料**：无铅、无卤素和无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。 #### 应用领域 - **直流-直流转换器**：用于各种电源管理系统中，实现高效稳定的电压转换。 - **负载点转换器**：用于微处理器和其他高性能芯片的供电管理。 - **电源负载开关**：用于控制大电流负载，如电动机等。 - **电机控制**：用于电机的速度和方向控制。 #### 最大额定值 | 参数 | 符号 | 数值 | 单位 | |----------------------------------|--------|------|------| | 漏源电压 | VDSS | 30 | V | | 栅源电压 | VGS | ±20 | V | | 连续漏极电流（环境温度25°C） | ID | 11.2 | A | | 连续漏极电流（环境温度70°C） | ID | 9.0 | A | | 功耗（环境温度25°C） | PD | 1.36 | W | | 连续漏极电流（10秒脉冲，环境温度25°C）| ID | 13.6 | A | | 功耗（10秒脉冲，环境温度25°C） | PD | 2.0 | W | | 脉冲漏极电流（环境温度25°C） | IDM | 112 | A | | 工作结温和存储温度范围 | TJ/Tstg| -55~150 | °C | | 源电流（体二极管） | IS | 2.1 | A | | 单脉冲漏源雪崩能量 | EAS | 84.5 | mJ | #### 热阻最大额定值 | 参数 | 符号 | 数值 | 单位 | |----------------------------------|--------|------|------| | 结至环境热阻（连续工作） | RJA | 91.9 | °C/W | | 结至环境热阻（10秒脉冲） | RJA | 61.1 | °C/W | | 结至引脚热阻 | RJF | 22.6 | °C/W | #### 注意事项 - 超过最大额定值的应力可能会损坏设备，这些最大额定值仅表示应力极限，并不意味着在推荐的操作条件下可以实现功能操作。长期暴露于超出推荐操作条件的应力下可能会影响设备的可靠性。 - 本器件适用于表面贴装，推荐使用FR4板进行安装，具体的安装面积为1平方英寸，铜面积为1.127平方英寸（包括走线）。 #### 结论 NTMS4937N是一款高性能的大功率场效应管，其优秀的电气性能使其成为电源管理应用的理想选择。此外，它还采用了环保材料，符合RoHS标准，有助于保护环境，是现代电子产品设计中不可或缺的元件之一。