在我们完成版图设计后，通常我们需要对版图做仿真，以检查版图中的寄生器件对电路的影响。做后仿真时，在cadence下，我们通常使用hspice或star-sim做仿真，但是，当由dracula提取出来网表太大时，用hspice做仿真会很慢，一般是使用star-sim。使用star-sim与使用hspice的方法基本是一样的，只是star-sim不能自动记录每个节点的电压信息，必须手动设置需要纪录的节点。用star-sim做仿真时，首先要编写一个激励文件，格式与hspice的基本是一样的。包括：（1）title（2）netlist（3）models（4）simulus（5）sweep type在做
在电子设计自动化（EDA）领域，后仿真是一个关键步骤，用于验证版图设计的正确性和评估实际制造后的电路性能。本文将重点介绍如何利用STAR-SIM进行后仿真，特别是在处理大型网表时的优势。
STAR-SIM是Cadence公司提供的一款高性能电路仿真器，尤其适合处理大规模集成电路（IC）的仿真问题。当电路设计完成后，版图提取工具如Dracula会产生包含所有寄生效应的网表，这些寄生效应可能包括电阻、电容、电感等。对于大型设计，HSPICE由于其计算复杂性可能会运行得非常慢，这时STAR-SIM因其优化的算法和并行计算能力成为更优选择。
**一、STAR-SIM仿真流程**
1. **创建激励文件**
激励文件是仿真过程的起点，它定义了电路的输入信号和参数。文件通常包含以下部分：
- **Title**：用于标识仿真任务的简短描述。
- **Netlist**：列出电路的所有元件及其连接关系，包括原始设计的元件以及由版图提取得到的寄生元件。
- **Models**：定义电路元件的模型参数，如晶体管的模型卡片。
- **Simulus**：设定仿真时间范围、步长以及其它控制参数。
- **Sweep Type**：如果需要进行参数扫描，此处定义扫描变量和范围。
2. **运行仿真**
编辑好激励文件后，在命令行界面输入`star-sim filename.sp`启动仿真，其中`filename.sp`是激励文件的名称。STAR-SIM会根据文件中的设置进行计算。
**二、查看仿真结果**
STAR-SIM支持两种波形查看工具，AWAVES和XP，用于观察和分析仿真结果。AWAVES提供图形化的波形查看界面，可以直观地查看节点电压和电流随时间的变化；XP则可能更适合进行数据导出和进一步的分析。
**三、注意事项与优化技巧**
- STAR-SIM不自动记录所有节点的电压信息，需要在激励文件中明确指定需要监控的节点。
- 对于大型设计，可能需要进行分区仿真，将大电路分成多个小部分分别仿真，然后合并结果，以降低计算资源需求。
- 参数优化是提高仿真效率的重要手段，例如调整时间步长、选择合适的模型精度等。
- 利用STAR-SIM的并行计算能力，通过多核处理器或分布式计算资源来加速仿真过程。
STAR-SIM作为一款强大的后仿真工具，能够有效地处理复杂电路的仿真问题。尽管与HSPICE有相似之处，但在处理大型网表时，STAR-SIM的速度优势明显。掌握STAR-SIM的使用方法，对于优化设计流程和提高设计质量具有重要意义。在实际操作中，应结合官方文档和实践经验，不断探索和优化仿真策略。
