根据所提供的文件信息，我们可以提取以下知识点：
1. CMOS功率放大器（Power Amplifier, PA）的基本概念：
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）是一种广泛应用于集成电路设计的技术，特别是在射频通信系统中的功率放大器设计中占有重要地位。CMOS技术因其功耗低、成本相对低廉以及易于集成等优点，使得其成为射频集成电路中应用最为广泛的工艺之一。
2. 功率放大器的类别：
文中提及的“E类功率放大器”（Class E power amplifier），是指放大器的一种工作模式，即E类。在放大器的分类中，常见的有A类、B类、AB类、C类、D类、E类等。E类功率放大器是一种非线性开关放大器，它通过在特定的时间点上开关晶体管来工作，主要优势在于高效率，但相对于其他类别，可能在信号的线性度上有所牺牲。
3. 高效率功率放大器的设计：
设计高效率的功率放大器需要考虑多个方面，例如晶体管的开启与关闭方式、负载网络的谐振配置、以及电压和电流波形的重叠等。文中提到使用Class-E结构来提高输出级晶体管的开关效率，并利用一个电感器与寄生电容谐振来提升效率。
4. IBMSOI 0.18μm CMOS工艺：
描述中提到的IBMSOI 0.18μm CMOS工艺，指的是一种基于绝缘体上硅（SOI）技术的0.18微米工艺节点。SOI技术通过在硅基板和晶体管之间加入一个绝缘层，可以减少晶体管之间的干扰，降低功耗，并且可以提升开关速度和性能。
5. 自偏置技术（Self-biased technique）：
为防止晶体管在高电压下发生击穿，文中提到了在输出级的共栅晶体管中采用了自偏置技术。这种技术能够根据晶体管的工作状态自动调节其工作点，以确保晶体管在安全的电压和电流范围内工作，从而提高放大器的稳定性和寿命。
6. 互连网络（Interstage network）的使用：
为了改善输出级电流和电压的重叠，文中还提到了在两个阶段之间使用了互连网络。这种设计可以优化放大器的线性度和效率，使得晶体管在开启和关闭过程中能够以更有效的方式工作。
7. 关键性能指标：
文中提到的功率附加效率（Power Added Efficiency, PAE）是衡量功率放大器性能的一个重要指标，它定义为放大器输出功率与直流输入功率之间的差值相对于输入功率的比例。PAE越高，意味着放大器的电能转换效率越高，耗散在放大器上的功率就越少。
8. 射频（RF）通信技术的发展：
文中还提到了“下一代通信技术”的研究，表明高效率功率放大器的研究与射频通信技术发展密切相关。随着通信技术向5G、物联网（IoT）等方向发展，对高效率、高线性度、低功耗的射频功率放大器需求越来越迫切。
9. 仿真结果：
文中给出了仿真结果，表明该CMOS E类功率放大器在2.4 GHz的运行频率和2.8 V电源电压下，能够提供23.17 dBm的输出功率，并具有57.7%的PAE。这说明该放大器在规定的运行条件下能够高效工作，达到预期的性能指标。
文件中描述的2.4 GHz CMOS E类功率放大器在设计和性能上都表现出了高效、低耗损的特点，采用的多种技术和方法，如SOI技术、自偏置技术、互连网络设计等，均为提高功率放大器性能和可靠性提供了有力的技术支撑。该研究对当前无线通信系统中功率放大器的设计与应用具有重要的参考价值和实际意义。
