基础电子中的半导体VCSEL再生长型

制作折射率导引型结构的VCSEL，需要改变光腔周围的折射率。这可以通过刻蚀／再生长工艺来实现，其基本原理就是在光腔周围生成一个新的半导体材料（折射率也随之变化），起到光场的横向限制作用，如图所示。具体步骤为先制作刻蚀掩模（SiO2，SiNx），将光腔刻蚀成柱型，然后在刻蚀掉的地方通过再次外延工艺生长出新的材料。 　　刻蚀／再生长结构除了对出射光有着良好的限制作用外，还可以对注入电流进行有效的横向限制，并且钝化有源区的侧面及有着良好的热沉特性。然而，由于构成DBR的AlGaAs非常容易受到诸如化学工艺、离子轰击及空气氧化等因素的影响，这些都会对外延生长造成影响。尤其是AlGaAs表面氧化层