新型4H-SiC横向JFET结构的高温物理建模和验证

本文研究了一种新颖的4H-SiC LJFET结构的独特性能，该结构具有常开侧向沟道与常闭垂直沟道的串联连接。 建立了新颖的结构的综合物理模型，以说明其在室温和高温（300 C）下与传统LJFET结构不同的静态和动态特性。 进行了有限元数值模拟和实验测量，以验证所建立物理模型的有效性。 在这三组结果之间已经达成了良好的协议。 建模工作首次研究了详细的工作机制，并为温度高达300 C的SiC LJFET器件提供了有价值的设计指南。