MOSFET双峰效应的简单评估方法

随着超大型集成电路(VLSI)的快速发展，浅沟槽隔离(STI)技术在MOSFET制成中得到了广泛的应用。当MOSFET的有效通道长度(L)和宽度(W)的尺寸越来越小时，一种MOS器件的失效模式：双峰效应(double-hump)也越来越受到人们的重视。