Fe掺杂In2O3薄膜的微结构与磁、输运性能 (2012年)

采用磁控溅射方法制备Fe掺杂In2O3基稀磁半导体（DMS）薄膜。通过XRD、XPS和XANES分析，确定Fe掺杂In2O3薄膜中没有出现Fe团簇以及Fe的氧化物第二相，Fe元素是以Fe2＋和Fe3＋的形式共同存在。通过输运特性ρ-T和HALL分析确定Fe掺杂In2O3薄膜的载流子浓度约4×1018cm-3，且Fe的掺杂并未改变In2O3的半导体属性。SQUID磁性测试显示Fe掺杂In2O3样品具有明显的室温铁磁性，铁磁性可以由束缚磁极子模型或双交换机制来解释。