液相外延生长超薄有源层Al

报道超薄有源层AlxGa1-xAs/GaAs分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率等对生长速率的影响。扫描电镜测得生长温度为680 ℃时,GaAs有源层厚度可低至25～35 nm。宽接触分别限制双异质结构LDs的室温连续阈值电流密度多在700～800 A/cm2。