太阳能多晶硅铸锭用石英坩埚氮化硅涂层的免烧工艺 (2012年)

本文介绍一种太阳能多晶硅片生产过程中，喷涂坩埚免焙烧的工艺，即在氮化硅浆料中加入少许水溶性有机物(粘结剂、防潮剂、分散剂)，通过有机高分子的化学吸附和氮化硅粉的物理吸附作用使氮化硅粉强有力地吸附在坩埚内壁，免去了传统工艺中喷涂坩埚在坩埚烧结炉中焙烧21h，焙烧温度为1050℃的工艺。与传统工艺相比，此工艺缩短硅片生产周期，提高生产效率，降低生产成本。