纳米级MOSFET亚阈值区电流特性模型

基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件结构，从基本的漂移扩散方程出发，分别建立了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模型。其中将频率与偏置依赖性的影响显式地体现在模型中。通过对比分析发现亚阈值区漏极电流模型具有等比例缩小的可行性，栅极电流具有跟随性和频率依赖性。同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较，验证了模型准确性。