LiF和AgCl中四角的V2中心的缺陷结构研究 (2006年)

基于离子簇近似下四角场中3d’离子EPR参量的微扰公式，通过配住场方法对LiF和AggCl中四角V2+中心的缺陷结构和EPR量进行了理论研究，提出V2+在LiF和Agcl中的缺陷蛄构模型，即处于杂质离子与q轴方向的配体将由于Vc静电排斥作用而朝靠近杂质离子的方向上位移—段距离△z。根据上述缺陷结构模型得l重8的班-R参量理论值与实验值吻合较好。