(天水华天微电子有限公司，甘肃 天水 741000)摘 要：本文主要说明了淀积型多芯片组件(MCM-D)技术所使用的主要材料的热特性。此技术采用倒装片技术把硅芯片安装到硅基板上。阐述了薄膜电阻和接触电阻的测量与所使用金属的温度范围-28℃～100℃的比较。一套典型的试验结构诸如开尔文接触、横桥电阻(CBR)Van der Pauw结构不仅已用于此技术，而且为了测试通过球倒装片连接的接触电阻，采用一新的开尔文式结构。已获得MCM封装的热模型，并考虑由此类封装增加的所有的热电阻。关键词：凸点压焊，电试验结构，MCM-D，多芯片组件，热分析中图分类号：TN305.94 文献标识码：A 文章编号：16
