对晶向为(100)的 p型单晶硅片进行表面刻蚀,制作减反射绒面。在质量分数为3%的氢氧化钠溶 液中分别加入不同质量分数的异丙醇溶液,在温度为80℃、时间为40min的条件下对单晶硅片进行刻蚀。实验结 果显示,加入质量分数为8%的异丙醇溶液刻蚀的硅片表面形貌最好,在波长为700～900nm范围内能够获得较 低的反射率,最佳反射率为10.42%。保持实验条件不变,在氢氧化钠-异丙醇混合液中分别加入不同质量分数 的碳酸钠溶液,对单晶硅片进行刻蚀。实验结果显示,加入质量分数为0.5%的碳酸钠溶液对制作绒面的反射率
