碳纳米管中电子反冲的次GeV暗物质检测

可以通过研究大型平行碳纳米管中的电子反冲力来完成MeV质量范围内的暗物质颗粒（DM）的定向检测。 在晶格电子的散射过程中，DM粒子可能会转移足够的能量以将其从纳米管表面弹出。 添加外部电场以将电子从阵列的开口端驱动到检测区域。 计算了该检测方案的各向异性响应，该响应是目标相对于DM风的定向的函数，并且得出的结论是，无需直接测量电子射出角即可探索出DM的重要区域 排除图。 紧凑的传感器可以用作基本检测单元，在该传感器中，阴极元素被密集的平行碳纳米管阵列取代。