分别在其上生长BaSn0.15Ti0.85O3 / Ba0.6Sr0.4TiO3 / BaZr0.2Ti0.8O3多层，BaSn0.15Ti0.85O3 / Ba0.6Sr0.4TiO3和Ba0.6Sr0.4TiO3 / BaZr0.2Ti0.8O3双层复合薄膜。通过脉冲激光沉积沉积Pt-Si衬底。 与先前报道的单层介电可调薄膜BaSn0.15Ti0.85O3 / Ba0.6Sr0.4TiO3和Ba0.6Sr0相比，多层薄膜沿（1 1 0）方向表现出优先增长，并显示出显着增强的介电可调性能。在室温下为4TiO3 / BaZr0.2Ti0.8O3双层。 对于多层，在400 kV / cm的偏置电场下可实现71.3％的大可调谐性，而在300 kV / cm时的介电损耗为0.0063，泄漏电流密度为〜1.0×10-10 A / cm2。 品质因数（FoM）的计算显示出113的大值。如此优异的性能表明BaSn0.15Ti0.85O3 / Ba0.6Sr0.4TiO3 / BaZr0.2Ti0.8O3多层复合薄膜是电可操纵应用的极佳候选者。
