脉冲控制忆阻模拟存储器 (2011年)

推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型,在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。 提出了用脉冲控制忆阻器实现模拟信息存储的方案,通过理论分析、实验仿真验证了方案的有效性。结合交叉阵列结构,该 方案有望实现大规模模拟存储阵列,推进人工神经网络和模拟式计算机的发展。