Sol-Gel法在不同衬底上制备的LaNiO3导电薄膜的性能研究 (2010年)

采用溶胶凝胶法快速成膜工艺分别在 Si(100),SiO2 /Si,Pt/Ti/SiO2 /Si不同基底上制备 LaNiO3导电薄膜,并分别以 LNO和 Pt/Ti为基底制备 PZT薄膜。通过 XRD,AFM,EDS等测试手段对 LNO导电薄膜的结构及组成进 行表征,并通过 XRD,介电性能的测试比较 LNO/Si和 Pt/Ti沉积 PZT薄膜的性能。结果表明,在 Si(100),Pt/Ti/ SiO2 /Si上制备的 LaNiO3导电薄膜是赝立方结构,而在 SiO2 /Si衬底上是四方结构。在 Si(1