（HgS/CdS）n HgS线状超晶格电子能带结构* (2003年)

建立了由两种不同材料构成的沿轴向的线状超晶格体系的薛定谔方程，并对（HgS/CdS）n HgS线状超晶格作具体计算，探讨了势阱和势垒宽度对电子能谱的影响。结果表明：沿轴向方向的线状超晶格系统的电子能谱存在能带结构，低能带的宽度要比高能带的宽度小；势阱宽度增大和势垒宽度减小会使带底的位置降低而带宽增大；圆柱半径在40?左右时，第一禁带宽度最大。