英飞凌推进DDR2 FB-DIMM部署 推出DDR2全缓冲内存模块样品

英飞凌科技公司近日宣布,该公司正在推出双数据速率2（DDR2）全缓冲内存模块（FB-DIMM）样品,英飞凌是业界唯一能设计和生产FB_DIMM所有关键部件的公司。容量在512MB到4GB之间的新型FB-DIMM,基于英飞凌出品的高级内存缓冲（AMB）芯片、DDR2 DRAM芯片及其自主开发的散热器。另外,英飞凌还为其他FB-DIMM生产商提供AMB逻辑芯片,并且已经将样品发给了第一批客户。 　　“新模块的优化生产需要三方面的创新：高容量高速DDR2 DRAM、 AMB芯片以及散热器（管理高内存容量与高速AMB芯片融合产生的热负荷）,” 英飞凌内存产品事业部计算业务部主管Michael DDR2 FB-DIMM（全缓冲内存模块）是由英飞凌科技公司推出的一种创新内存解决方案，旨在提升服务器系统的性能和可扩展性。DDR2代表双数据速率2，是一种内存技术，相较于DDR，它提供了更高的数据传输速率和更低的电压需求，从而在保持低功耗的同时提高整体系统性能。 FB-DIMM技术的核心是高级内存缓冲（AMB）芯片，由英飞凌设计和生产。AMB芯片将传统的并行内存总线转换为串行点到点连接，这种设计能够有效解决随着内存容量和速度提升而出现的带宽瓶颈问题。AMB通过提供4.8Gbps的数据速率，确保了与DDR2 DRAM的高效通信，即使在高内存容量和高速度下也能保持稳定的性能。 英飞凌的DDR2 FB-DIMM模块的容量范围从512MB到4GB，这些模块使用的是英飞凌的DDR2 533和DDR2 667颗粒。这些内存模块的散热器设计是针对高内存容量和高速AMB芯片结合产生的热量进行管理，确保了模块在高负载下的稳定运行。 英飞凌不仅是FB-DIMM组件的制造商，还向其他FB-DIMM生产商提供AMB逻辑芯片，推动整个市场的采用和发展。这种全面的组件控制策略使得英飞凌能够提供高质量、经过优化的FB-DIMM产品，帮助服务器制造商平滑过渡到新的内存架构。 据市场研究公司iSuppli的报告，FB-DIMM在2006年的OEM服务器市场占有率为16%，预计到2008年将增长到79%，显示出其在服务器领域的广泛接受度和市场潜力。 批量生产计划于2005年第四季度开始，表明英飞凌已经做好了大规模生产DDR2 FB-DIMM的准备，以满足不断增长的市场需求。665球高性能BGA封装的4.8Gbps AMB芯片样品也已发布，进一步展示了英飞凌在内存技术领域的领先地位和创新能力。 总结来说，DDR2 FB-DIMM是英飞凌在内存技术上的重大突破，它通过独特的缓冲技术和串行接口设计，解决了传统并行内存架构的局限性，为高性能服务器提供了更高的带宽和更强的扩展能力，预示着服务器内存技术的未来发展方向。