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Ge缩合技术制备的拉伸应变绝缘体上锗的室温光致发光
Ge缩合技术制备的拉伸应变绝缘体上锗的室温光致发光
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2021-03-28
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我们报道了在超薄锗绝缘体中的双轴拉伸应变高达0.60% 通过Ge缩合技术制造。 室温直接带材料的光致发光显着增强。
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