论文研究-基于微波退火技术制备的高性能短沟道金属源漏Ge pMOSFET .pdf

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基于微波退火技术制备的高性能短沟道金属源漏Ge pMOSFET,赵毅,,采用了微波退火技术制备得到了高性能的超浅NiGe/n-Ge肖特基结,并研究探讨了不同退火技术对肖特基结电学性能的影响。实验结果表明,

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