La掺杂BaSnO3薄膜的有效质量和纳米级电传输的测定

通过射频（RF）磁控溅射技术在（LaAlO3）0.3（SrAl0.5Ta0.5O3）0.7（001）衬底上生长外延掺杂La的BaSnO3薄膜。 通过霍尔效应测量在掺La的BaSnO3薄膜中展示了n型简并半导体，并根据塞贝克系数和载流子密度的组合确定了其电子有效质量〜0.396m0（m0，自由电子质量）。 。 此外，使用导电原子力显微镜测得的局部电流-电压曲线表现出非线性特性，并且发现在高偏压下的传输机理是Fowler-Nordheim隧穿。