在MOSFET器件的功率问题中如何采用反激转换器消除米勒效应

设计电源时，工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电流的情况下， 比如转换器在非连续导电模式（DCM）下工作时，若选择Rds（on）较小的MOSFET，芯片尺寸就会较大，从而输入电容也较大。也就是说，导通损耗的减小将会造成较大的输入电容和控制器较大的功耗。当开关频率提高时，问题将变得更为棘手。   　图1 MOSFET导通和关断时的典型栅电流 　　图2 MOSFET中的寄生电容 　　图3 典型MOSFET的栅电荷 　图4