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高温激活的变掺杂GaAs光电阴极研究
高温激活的变掺杂GaAs光电阴极研究
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高温激活的变掺杂GaAs光电阴极研究
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研究了高温Cs 激活过程中, GaAs 光电阴极表面势垒的变化机理。在考虑GaAs 材料体内负电性p<br />型掺杂杂质与材料表面正电性Cs+ 所形成的偶极子对表面势垒的作用后, 通过求解均匀掺杂阴极中电子所<br />遵循的一维连续性方程, 得到了反射式均匀掺杂阴极的量子效率公式, 通过求解薛定谔方程得到了到达阴<br />极表面的光电子的逸出概率公式, 利
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