用激光合金Ge薄膜在n-GaAs上制作欧姆接触

Q开关Nd:YAG激光器已被用以使复盖蒸发Ge薄膜的n-GaAs上形成欧姆接触。这种接触显示了良好的表面形态，其接触电阻率低到10-6欧姆·厘米。