通过化学腐蚀Si(100)基片,使基片表面腐蚀坑呈倒金字塔型结构,并在其上沉积[FePt3nm/Ag2nm]10/Ag20nm多层膜。样品在300℃、400℃、500℃进行热处理。X射线衍射结果表明FePt由Fcc相向L1 0转变,易磁化轴与基片表面呈现45°夹角;磁学研究表明,此时样品有较快的磁化转变速率,在高密度磁记录介质方面有着较好的应用前景。
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