摘要：纳米丝过度生长现象引起的负SET行为是导致导电桥随机存取存储器（CBRAM）复位失败现象的主要原因。 CBRAM器件中意外的负SET行为会导致严重的可靠性问题，并已成为批量生产的障碍。 在这封信中，我们提出了一种兼容后端（BEOL）的TiN阻挡层，以通过消除纳米丝过度生长现象和负SET行为来提高CBRAM器件中的器件可靠性。 因此，可以将较高的复位电压施加到TiN势垒层器件上，以实现更完整的复位过程并获得更好的电阻开关性能。 结果表明，具有一个晶体管结构的Cu / HfO2 / TiN / Ru器件具有优异的综合存储性能，包括高可靠性，快速开关速度，高电阻状态均匀性，高耐久性，长保持性和多级存储能力。
