氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用 (2006年)

氮化硅薄膜具有致密的结构、高强度和良好的耐磨性能，可用于MEMS器件中作为结构部件。本文采用PECVD法制备氮化硅薄膜，对氮化硅薄膜的杨氏模量和硬度进行了测试，并分析了沉积温度、反应气体流量比对薄膜杨氏模量和硬度的影响。应用氮化硅薄膜作为悬梁，制作了射频MEMS开关。