AgGa1-xInxSe2单晶的生长研究

AgGa1-xInxSe2单晶的生长研究，黄毅，赵北君，采用高纯(99.9999%)Ag、Ga、In和Se单质为原料，按化学计量比富Se 0.3～0.5% 配料，通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa