通信与网络中的WJ通讯RF产品推陈出新
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2020-11-26
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通信与网络中的通信与网络中的WJ通讯通讯RF产品推陈出新产品推陈出新
WJ推出28伏InGaP HBT功率放大器技术 WJ通讯公司是从事射频（RF）解决办法的领先设计公司和供应
商，它的产品用于无线设施 （wireless infrastructure）和射频识别（RFID）读出技术，今日宣布研制成功
令人振奋的28 V InGaP HBT技术，用于移动基本设施的功率放大器。与市场上现有的其他技术比较，这项技术
在功率输出和效率方面具有显着的优点。这种28 V工艺是在WJ通讯公司现有的5 V InGaP HBT工艺的基础上发
展起来的，已经通过实践证明它是可靠性很高的工艺，适合移动基础设备使用。使用这种新的28 V工艺制造的
几种新产品正在研制之中，将在2006年第
WJ推出28伏InGaP HBT功率放大器技术
WJ通讯公司是从事射频（RF）解决办法的领先设计公司和供应商，它的产品用于无线设施
（wireless infrastructure）和射频识别（RFID）读出技术，今日宣布研制成功令人振奋的28 V InGaP HBT技术，用于移
动基本设施的功率放大器。与市场上现有的其他技术比较，这项技术在功率输出和效率方面具有显着的优点。这种28 V工艺
是在WJ通讯公司现有的5 V InGaP HBT工艺的基础上发展起来的，已经通过实践证明它是可靠性很高的工艺，适合移动基础
设备使用。使用这种新的28 V工艺制造的几种新产品正在研制之中，将在2006年第三季度推出。
“对于研究成功这项新的28V InGaP HBT工艺，我们感到十分振奋。这项技术显着地提高了邻近频道功率比/邻近频道泄漏
比（ACPR/ACLR）性能，而效率与市场上目前的LDMOS产品相当或者更高。”WJ通讯公司负责工程技术的副总裁
Morteza Saidi说道。“用这项技术制造的器件可以作为B类放大器使用，由于独特的电路设计（已经申请专利权），它的
ACPR/ACLR性能仍然很好。我们初步计划推出几种1 dB压缩点（P1dB）功率为10 W的产品，这项技术也适合于制造功率更
大的产品。”
工艺简介
+28 V InGaP HBT工艺是先进的技术，它的击穿电压极高，能够用于很大的功率。我们已经在半导体结温为315 ℃的情
况下进行了4000小时的寿命试验，而且它的β降级极少。我们已经证明这项工艺在输入过载6 dB时，仍然不会损坏。
封装的开发
WJ通讯公司还研制了一种可以进行表面贴装的功率QFN封装，用于这些InGaP HBT产品，它是使用低熔点贴片技术把芯
片贴上去，大量地降低了热阻，保证它能够可靠地工作。
WJ推出动态范围很宽的双通道转换器
WJ通讯公司是从事射频解决办法主要设计公司和供应商，它的产品用于无线设施（wireless infrastructure）和射频识别
（RFID）读出技术，今日宣布推出CV221-2A双通道射频转换器（converter），该产品的偏移电流小，动态范围宽，用于无
线基站和中继站。CV221-2A适合目前的无线技术和下一代无线技术使用，例如要求线性度很高、偏置电流很小的GPRS、
GSM、CDMA、W-CDMA以及Wi-Bro等技术。
“我们充分发挥本公司在多芯片组件技术方面的技术专长，把GaAsFET和InGaP HBT器件集成在一起，形成双通道转换
器，它使用很小的QFN封装，便于客户使用，与使用分立元件的办法相比，成本可以降低40 %，电路板的空间可以减少
60 %，调谐元件减少24 %。” WJ通讯公司负责工程技术的副总裁Morteza Saidi说道。“CV221-2A的线性度很高，偏置电流
小，动态范围宽，使用符合工业标准的QFN封装，因而我们的客户可以迅速和经济地满足无线基础设施的要求。”
产品简介：
CV221-2A是线性度很好的双通道转换器（dual channel converter），其中集成了LO放大器和IF放大器，它使用低成本的
SMT无铅QFN封装，符合RoHS标准，尺寸为6 × 5 mm。这种降频转换器的输入IP3为+28 dBm，每个通道的总增益为
9.2dB，电源电压为+5 V，偏置电流为315 mA，LO输入功率为0 dBm。这个器件工作的射频频率范围从1900到
2400 MHz，LO频率范围从1600到2335 MHz，IF频率范围从65到300 MHz。
两个通道之间的隔离程度为45 dB，端口之间的隔离程度从LO到RF为12 dB，从LO到IF为26 dB。CV221-2A每个RF、IF
和LO端口的VSWR优于2：1。在温度从-40到+85℃的范围内它的增益变化为+/- 0.6 dB。器件中集成了两级LO放大器，在很
宽的LO功率范围内性能稳定。每一通道和内部的元件是相互隔离的，转换器可以用于升频转换和降频转换。
CV221-2A是用WJ 通讯公司成熟的高可靠性GaAs FET 和InGaP HBT工艺制造的，它们是针对无线基础设施的要求设计
的。 CV221-2A 能够在–40到+85℃的温度范围内工作，在85℃时的 MTTF 超过1百万小时。它的ESD属于1B类（根据
JEDEC准JESD22-A114的HBM），按JEDEC 准J-STD-020的要求，在260℃时达到2 MSL级。
CV221-2A 降频转换器的技术性能：
• RF频率范围：1900至2400 MHz
• LO频率范围：1600至2335 MHz
• IF频率范围：65至300 MHz
• 输入三阶截止点：+28 dBm
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