低温漂带隙基准源及驱动电路设计

基于标准N阱CMOS工艺设计了一种带隙基准电压产生及输出驱动转换电路。该电路采用0.6μm CSMC-HJ N阱CMOS工艺验证，HSPICE模拟仿真结果表明电路输出基准电压为1.25V左右；在–55℃～125℃温度范围内的典型工艺参数条件下，电路温度系数仅为7×10-6/℃；电源电压范围为4V~6V，在产生标称1.25V基准电压的同时，可以为负载提供1mA~2mA的电流驱动能力。