AlN / AlGaN超晶格层改善a面GaN晶体质量

通过低压金属有机气相沉积来生长非极性（112¯0）a平面GaN膜在r平面（11′0 2）蓝宝石衬底上。报告了使用AlN / AlGaN超晶格（SLs）的方法使用X射线衍射和原子分析技术改进a平面GaN在r平面上的晶体质量力显微镜测量，我们发现插入AlN / AlGaN SL可以改善晶体质量， 有效降低表面粗糙度并完全消除表面的三角凹痕。