BC858CDW1T1G的技术参数
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2020-12-11
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BC858CDW1T1G的技术参数的技术参数
产品型号:BC858CDW1T1G类型:PNP/PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)
(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):420直流电流增益hFE最大值(dB):520最小电流增益带宽乘积
Ft(MHz):100封装/温度(℃):SOT-363/-55~150价格/1片(套):￥.40
产品型号:BC858CDW1T1G
类型:PNP/PNP
集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):30
集电极最大电流Ic(max)(mA):100
直流电流增益hFE最小值(dB):420
直流电流增益hFE最大值(dB):520
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
封装/温度(℃):SOT-363/-55~150
价格/1片(套):￥.40
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