本文基于脉冲激光沉积(PLD)方法, 利用光谱物理GCR-170型脉冲激光器Nd∶YAG的三次谐波, 实验上完成了在Al2O3(0001)基片上生长了ZnO薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱和光学透射谱对不同基片温度下沉积的ZnO薄膜的表面形貌和光学特性进行研究。结果表明,沉积时的基片温度对ZnO薄膜的结构和特性有显著影响。在基片温度为500 ℃时沉积的ZnO薄膜结构致密均匀, 并表现出很强的紫外发射。通过紫外-可见透射光谱的测量, 讨论了沉积时的基片温度对ZnO薄膜光学透射率的影响。
标题中的"基片温度对脉冲激光沉积ZnO薄膜性质的影响"主要涉及的是在脉冲激光沉积（Pulse Laser Deposition, PLD）技术下，ZnO（氧化锌）薄膜的生长过程与基片温度的关系。描述部分进一步阐述了实验采用的设备——光谱物理GCR-170型脉冲激光器，以及如何在Al2O3(0001)基片上制备ZnO薄膜，并通过AFM（原子力显微镜）、PL（光致发光）谱和光学透射谱分析不同基片温度下的薄膜特性。
ZnO是一种重要的半导体材料，广泛应用于光电、传感器等领域。在PLD过程中，脉冲激光照射靶材（含ZnO的材料），产生的蒸发或溅射物质沉积在基片上形成薄膜。基片温度作为关键参数，直接影响薄膜的结晶质量、微观结构和光学特性。
实验结果显示，当基片温度为500℃时，沉积的ZnO薄膜表现出最佳的结构性能，即结构致密且均匀，并具有强烈的紫外发射。这表明高温有利于提高薄膜的结晶度，减少缺陷，从而增强其光学性质。同时，紫外-可见透射光谱的测量则揭示了基片温度对ZnO薄膜的光学透射率有显著影响，可能是因为温度影响了薄膜的晶格对齐、缺陷密度以及与基片的界面结合状态。
标签中的关键词如"材料"、"ZnO薄膜"、"脉冲激光"、"表面形貌"、"光致发光"、"透射光谱"等，进一步强调了研究的焦点是ZnO薄膜的制备工艺优化，特别是关注基片温度如何改变其物理性质。这些性质的探究对于理解ZnO薄膜的生长机制，以及如何通过控制工艺参数来改善其性能至关重要。
该研究探讨了脉冲激光沉积技术下ZnO薄膜的制备，特别是在不同基片温度条件下的薄膜质量。通过实验发现，基片温度对ZnO薄膜的结构、光学性能，尤其是紫外发射和透射率有显著影响。这为优化ZnO薄膜的制备工艺提供了理论基础，对于开发高性能的ZnO基光电设备具有指导意义。
