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Hittite的SMT InGaP HBT MMIC VCO频率高达24.8GHz
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2020-12-01
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Hittite Microwave推出三款新型GaAs HBT MMIC压控振荡器(VCO),适用于11、12和24GHz的点对点/多点、VSAT、调试设备和工业应用。MMIC VCO面向微波无线电、工业、汽车及军事应用。 HMC513LP5、HMC514LP5和HMC533LP4是全集成的InGaP HBT VCO。这种MMIC VCO具有一个集成振荡器、负阻抗器件和一个变容二极管,由于采用单片结构,在整个工作温度范围内有极好的相位噪声性能及抗震能力。这三款VCO输出功率高,工作电压为单一正极性电源,也可禁用预放大功能以降低功耗。 HMC
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Hittite的的SMT InGaP HBT MMIC VCO频率高达频率高达24.8GHz
Hittite Microwave推出三款新型GaAs HBT MMIC压控振荡器(VCO),适用于11、12和24GHz的点对点/多点、
VSAT、调试设备和工业应用。MMIC VCO面向微波无线电、工业、汽车及军事应用。
HMC513LP5、HMC514LP5和HMC533LP4是全集成的InGaP HBT VCO。这种MMIC VCO具有一个集成振荡
器、负阻抗器件和一个变容二极管,由于采用单片结构,在整个工作温度范围内有极好的相位噪声性能及抗震
能力。这三款VCO输出功率高,工作电压为单一正极性电源,也可禁用预放大功能以降低功耗。 HMC
Hittite Microwave推出三款新型GaAs HBT MMIC压控振荡器(VCO),适用于11、12和24GHz的点对点/多点、VSAT、调试设备和工业应用。MMIC VCO
面向微波无线电、工业、汽车及军事应用。
HMC513LP5、HMC514LP5和HMC533LP4是全集成的InGaP HBT VCO。这种MMIC VCO具有一个集成振荡器、负阻抗器件和一个变容二极管,由于
采用单片结构,在整个工作温度范围内有极好的相位噪声性能及抗震能力。这三款VCO输出功率高,工作电压为单一正极性电源,也可禁用预放大功能以
降低功耗。
HMC513LP5型10.43~11.46GHz HBT MMIC VCO和HMC514LP5型11.17~12.02GHz HBT MMIC VCO有+7dBm功率输出和Fo/2、1/4输出。两种VCO
都采用无引铅的QFN 5×5mm表面封装,工作电压为单+3V电源,在100kHz偏置时,有-110dBc/Hz SSB相位噪声。
HMC533LP4是一个23.8~24.8GHz MMIC VCO,输出功率+12dBm,1/16输出。HMC533LP4采用无铅QFN 4×4mm表面封装,工作电压+5V,在
100kHz偏置时,有-95dBc/Hz SSB相位噪声。
而型号为HMC513LP5E、HMC514LP5E和HMC533LP4E的产品满足RoHS要求。样品和评估PC板有现货供应,并可在线定货。
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