LiNb03：Ni2+晶体局域结构研究* (2011年)

目的从理论上给出LiNbO3：Ni2+晶体基态自旋哈密顿参量的理论解释。方法 采用自旋哈密顿理论，建立了LiNb0。：Ni2+晶体中晶体结构和自旋哈密顿参量之间的关系，对LiNb03：Ni2+晶体自旋哈密顿参量进行了计算。结果 计算结果与实验结果能够很好地符合。结论 本文采用的晶格畸变模型是合理的。