极紫外光刻技术被认为是下一代最有潜力的光刻技术,对推动集成电路发展具有重要作用。极紫外光源是极紫外光刻技术的源头,其技术水平直接制约了光刻技术的发展。气体放电等离子体极紫外光源结构简单,转换效率高,适合大规模工业应用,具备良好的应用前景。现有气体放电等离子体光源包括毛细管放电等离子体极紫外光源、激光辅助等离子体极紫外光源、等离子聚焦极紫外光源和中空阴极管放电等离子体极紫外光源等。近年来,极紫外光光刻技术工业化进展较快,该文对气体放电等离子体技术做了综述,掌握最新研究进展有助于推动我国相关领域研究。