第
36
卷第
6
期
2002
年
11
月
浙江大学学报(工学版)
Vo
1.
36
No. 6
Nov.
2002
Journal
of
Zhejiang
University(Engi
日
eering
Science)
用于快速光学邻近校正的可变阀值光刻胶模型
王国雄
1
，
2
，史峙
1
，严晓浪
1
，陈志锦
1
，付萍
3
(1.浙江大学超大规模集成电路设计研究所，浙江杭州
310027
，
2.
鞍山科技大学电子与信息工程学院，辽宁鞍山
114002
，
3.
华东地质学院信息工程系，江西抚州
344000)
摘
要:提出了用于光刻仿真的建模流程.用高斯滤波器与空间影像进行卷积，得到改进的空间影像来模拟光刻胶
的扩散，然后使用可变阙值光刻胶模型，以实际工艺数据拟合该模型参数，再把改进空间影像的相关信息作为输
入，并根据可变|淘值光刻胶模型所确定的光强|淘值来预测
CD
(critical
dimensio
日)变化，从而使光刻仿真的结果更
精确地附合实际测量数据.由于正确地表征了实际工艺的特性，模拟结果显示，多参数光刻胶模型更适于实际开发
的光学邻近校正
(optical
proximity correction ,
OPC)
仿真工具.
关键词:光刻仿真;光学邻近校正;可变|淘值光刻胶模型
中图分类号:丁
N305.7
文献标识码
:A
文章编号:
1008-973X
(2002)06-0634-04
Variable
threshold
resist
models
for
fast
OPC
W
AN
G
Guo-
xiong
1. 2 , SHI
Zheng
2
, Y
AN
Xiao-lang
2
,
CHEN
Zhi
-
jin
2
,
FU
Ping
3
(1.
Institute
0/
V
LSI
Desig
刀
，
Zhejiang
University
,
IIangzhou
310027
,
China
,
2.
College
0/
Electronics
and
In/ormation
Engineering
,
University
0/
Science
and
Technology
Ansha
刀
，
Anshan
114002
,
China
,
3.D
φ
artment
o/In/ormation
Engineering
,
East
China
Geological
Institute
,
IIuzhou
344000
,
China)
Abstract:
The
modeling
flow
for
lithography
simulation
is
presented
in
this
pape
r.
A
modified
aerial
image
was
obtained
by
convolving
the
aerial
image
with
a
Gaussian
filter
to
smear
the
image
in
a
manner
analo
gous
to
resistive
diffusion
,
and
then
applying
a
飞
rariable
threshold
resist
model
on
the
modified
image
to
predict
the
CD
(critical
dimension)
飞
rariations.
The
related
information
on
the
modified
aerial
image
overe
were
taken
as
input
parameters
for
the
model
,
while
the
real
manufactured
CDs
on
wafer
were
taken
as
the
model
fitting
target.
As
the
multi-parameter
resist
model
properly
characterizes
real
processes
,
simulation
results
have
shown
that
this
model
is
suitable
to
be
used
in
practical
OPC
simulation
tools.
Key
words:
lithography
process
simulation;optical
proximity
correction(OPC)
;variable
threshold
resist
model
集成电路的最小特征尺寸和间距越来越小，当
曝光线条的特征尺寸小于光刻波长时，由于光的衍
射和光刻曝光、显影以及蚀刻系统等因素带来的不
可避免的影响，硅圆片上的图形与版图上的图形相
比将产生明显的畸变，导致光刻图形质量严重下降.
任何版图图形和硅圆片表面实际印刷图形之间的不
一致，即版图图形转移的失真，都会影响最后产品的
收稿日期:
2002-01-07.
基金项目:国家自然科学基金资助项目
(60176015).
性能参数，并降低集成电路的生产成品率.为了使光
刻的结果更好地符合版图的设计要求，工业界提出
了对掩模做预失真处理或在掩模上加一层相位转移
膜
[1~3J
等一些掩模补偿方法
.OPC
技术就是其中的
一种，它可以根据光刻机和光刻胶的特性，对掩模预
先进行系统性补偿，最终使设计的电路与硅圆片上
的实际电路在功能上保持一致.
作者简介:王国雄
0970-)
，男，浙江余姚人，讲师，从事大规模集成电路
CAD
领域的研究.
E-mail:wanggx
(
vlsi.
zju.
edu.
cn
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