标题中提及的“纳米级ZoO / BN多层结构的压电性能”指向了在纳米尺度上研究氧化锌（ZnO）和氮化硼（BN）这两种材料所构成的多层结构的压电特性。压电效应是指特定晶体材料在外力作用下产生电荷的物理现象，这种效应使得这类材料在应力变化时能够产生电信号，反之亦然。在纳米技术中，研究材料的压电性具有重要的意义，特别是在电子器件、传感器和能量采集等领域。
描述部分提到的是同样的内容，即对这种结构的压电性能进行研究。此处的描述可能更多地用于文章或研究报告的摘要或简介部分，而具体内容则可能出现在文章的主体部分。
标签为“研究论文”，意味着该文件是一篇学术性质的论文，可能发表在某学术期刊上，作者们在文中对ZnO/BN多层结构的压电性质进行了详尽的实验和分析。
从提供的部分内容来看，文章中对实验过程进行了描述，并讨论了实验结果。实验涉及在特定条件下制备ZnO/BN/Pt多层结构，并通过一系列实验技术对它们的压电性能进行了研究。这些技术包括使用射频磁控溅射法（RF magnetron sputtering）制备BN薄膜，并以特定的功率和压强条件进行沉积。此外，还提到了使用傅里叶变换红外光谱（FTIR）技术来测量材料的压电状态，以及利用原子力显微镜（AFM）的压电力显微镜（PFM）功能来检测样品表面振动的信号变化。实验中，施加了交流电压并测量了样品的电响应，从而对材料的压电性能进行了评估。
文中还提到了“c-BN”，这是立方氮化硼的一种形式，它具有高硬度和良好的热稳定性，是研究纳米电子器件中潜力很大的材料之一。实验的目的是为了提高立方氮化硼的压电系数，并研究ZnO薄膜与c-BN结合时对高频率应用的适用性。实验结果表明，相较于单一的BN薄膜，多层结构的ZnO/BN在压电性能上有显著的提高，特别是在高频范围内的应用。
文章中还提到了利用直流偏置电压（DC bias voltage）和锁相放大器（lock-in amplifier）来增强振动信号的探测。锁相放大器是一种用于测量与参考信号同步的微弱信号的电子设备，其能够从背景噪声中提取出信号，提高了信号的检测精度。
此外，实验中还用到了银耳（Agilent）设备，这可能是指银耳技术公司所生产的实验仪器，用于相关的检测和测量工作。
整体来看，这篇文章对ZnO/BN多层结构的压电性能进行了深入研究，尝试通过实验手段分析其在纳米尺度上的应用潜力。这项研究对纳米技术、电子材料和传感器设计等领域具有重要的参考价值。
