VDMOSFET的Tox与特征导通电阻RonA的关系 (2003年)

介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型，重点讨论了栅SiO2厚度Tox对特征导通电阻RonA的影响，经过大量的理论计算，给出了击穿电压为20V时VDMOSFET的Tox与RonA的关系曲线。首次提出最佳单胞尺寸与Tox有关。