硫酸蚀刻溶液中InP半导体之薄膜生长 (2013年)

利用X-射线衍射技术研究了InP半导体在H2SO4/H2O蚀刻溶液中之薄膜生长,分析p型InP(100)在酸性蚀刻溶液中表面氧化物的化学组成。实验中,一台12kW的铜旋转阳极X射线源用于保证高敏感度的表面型态分析。利用广角度衍射(WAD),从一个基体氧化物的晶格组界面检测衍射线来分析蚀刻溶液H2SO4/H2O。每个衍射线出现可能引起的反应物表面层反射光束的干涉图案,生成物为具有单晶结构的磷酸铟水合物(InPO4・xH2O)。观察到一组(nh,nk,nl)的广角度衍射中磷酸铟水合物(InPO4・xH2O)相