（中国电子科技大学光电信息学院，成都 610054）摘 要：通过SIMS对激光诱导扩散杂质浓度分布的研究，提出了一个测量扩散区只在mm量级或10mm量级范围内的杂质浓度分布的方法。首先利用光刻的方法在基片表面标识出扩散窗口，然后进行激光诱导处理。用SIMS对制成的扩散样品定量分析，通过扫描探针显微镜测量刻蚀深度，由此实现了微小扩散区掺杂浓度-深度分布的研究。关键词：激光诱导扩散，微小扩散区，二次离子质谱仪 中图分类号：TN304.07 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2005)07-0021-041 引言 在半导体平面工艺中，器件的许多性能指标主要由扩散工艺决定，扩散层的结深和杂
