LDMOS–SCR：HV应用中具有高ESD自保护能力的LDMOS的替代品

提出了用于SOI BCD技术的LDMOS–SCR器件的研究。 LDMOS–SCR与BCDCraft.io完全兼容，可以代替LDMOS作为高压输出驱动器。 通过比较LDMOS和另一种“ pnpn”类型的LDMOS-SCR，可以通过器件仿真和TLP测量来很好地讨论触发机制和ESD行为。 经验证，与LDMOS相比，LDMOS–SCR的ESD性能得到了极大的改善。