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具有MIS门控混合阳极的击穿电压低至1.1 kV以上的低导通电压GaN-on-Si功率二极管
具有MIS门控混合阳极的击穿电压低至1.1 kV以上的低导通电压GaN-on-Si功率二极管
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具有MIS门控混合阳极的击穿电压低至1.1 kV以上的低导通电压GaN-on-Si功率二极管
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