溶液沉积前驱体硫化制备Cu2ZnSnS4薄膜

Cu2ZnSnS4（CZTS）膜是通过硫化（Cu，Sn）S / ZnS结构化的前驱体而制得的，该结构化前体是通过连续离子层吸附和React方法以及化学浴沉积方法的组合制备的。当前体在500°C退火2 h时，获得纯Cu2ZnSnS4相。研究了CZTS薄膜的结构，组成，形貌和光学性能。结果表明，CZTS薄膜具有相对致密的形貌，其组成接近于Cu2ZnSnS4的化学计量比。该膜具有大的光吸收系数（当光能超过1.47 eV时大于10 4 cm -1 ）。薄膜的光学带隙约为1.56 eV。该方法被认为是制备高质量CZTS膜的潜在方法。