采用电化学外延法在Mo衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4（CZTS）薄膜。电解质包含0.124 M CuSO4中心点5H（2）O，0.14 M ZnSO4、0.13 M SnCl2中心点2H（2）O，0.16 M Na2S2O3中心点5H（2）O，2.25 M NaOH，1.36 M C6H5Na3O7、1.00 M C4H6O6。四元共电沉积溶液的平衡电势设置为-1.1，类似于-1.20V。结果表明，元素按以下顺序沉积：Cu / S / Zn / S / Cu / S / Sn / SaEuro垂直折线。在退火过程中，随着温度的升高，形成三元和四元化合物。最后，可以在550 A的温度下很好地形成CZTS膜。CZTS的电阻率约为5.6 x 10（4）Ω厘米。
