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采用电化学外延法在Mo衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。电解质包含0.124 M CuSO4中心点5H(2)O,0.14 M ZnSO4、0.13 M SnCl2中心点2H(2)O,0.16 M Na2S2O3中心点5H(2)O,2.25 M NaOH,1.36 M C6H5Na3O7、1.00 M C4H6O6。四元共电沉积溶液的平衡电势设置为-1.1,类似于-1.20V。结果表明,元素按以下顺序沉积:Cu / S / Zn / S / Cu / S / Sn / SaEuro垂直折线。在退火过程中,随着温度的升高,形成三元和四元化合物。最后,可以在550 A的温度下很好地形成CZTS膜。CZTS的电阻率约为5.6 x 10(4)Ω厘米。
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