静电放电对GaN基功率型LED老化特性的影响

对GaN基蓝光功率型LED在老化前和老化期间施加反向人体模式静电放电(ESD)，并对静电打击前后及老化前后的LED光学电学参数进行分析。实验结果及理论分析表明，ESD使LED芯片有源层及限制层中产生缺陷，最终导致电学特性及光学特性的变化。ESD给LED带来的损伤可在老化前期过程中被局部恢复，但随着老化时间推移，电参数漂移程度及光衰幅度不断增大，而老化过程中LED对ESD的敏感度增加，使LED抗ESD能力减弱。