半导体三极管的一般选用原则有：
(1)当三极管使用的环境温度高于30℃记时，耗散功率PCM应降额使用。
(2)三极管应尽量远离发热元件，以保证三极管能稳定正常地工作。
(3)当三极管的耗散功率大于5W时，应给三极管加装散热板或散热器，以减少温度对三极管参数变化的影响。
(4)在三极管的参数中，有一些参数容易受温度的影响如ICEO、UBEO和β值。其中IcEo和UBEO随温度变化而变化的情况如下:
①温度每升高6℃，硅管的ICEO将增加一倍;
②温度每升高l0℃，锗管的ICEO将增加一倍;
③硅管UBEO随温度的变化量约为1·7mV/℃。
(5)为
半导体三极管是电子电路中不可或缺的元器件，其选用原则对于电路的稳定性和可靠性至关重要。以下是关于半导体三极管选用的一些关键知识点：
1. **环境温度与耗散功率**：当三极管工作环境温度超过30℃时，应当考虑降额使用，即实际工作时的耗散功率PCM不应超过其在标称温度下的最大耗散功率，以防止过热导致性能退化或损坏。
2. **热管理**：三极管应远离发热元件，以保持其工作温度稳定，确保正常工作。如果耗散功率大于5W，需要安装散热板或散热器，通过增大散热面积来降低温度，防止因温度过高影响三极管参数。
3. **温度敏感参数**：ICEO（穿透电流）、UBEO（基极发射极截止电压）和β（电流增益）等参数会受温度影响。例如，硅管的ICEO每升高6℃会增加一倍，锗管则每升高10℃增加一倍；硅管UBEO随温度变化约为1.7mV/℃。因此，设计时要考虑温度补偿措施，如使用有电流负反馈的偏置电路或配备热敏电阻。
4. **装配与焊接**：三极管的引线处理需谨慎，不得在离外壳5mm以内弯折或焊接，焊接应使用低熔点焊锡，电烙铁功率不宜过大，焊接时间要短，通常不超过5秒，并可使用镊子辅助散热。
5. **高频与脉冲电路**：在高频或脉冲电路中，三极管引线应尽可能短，以减小寄生电感和电容对信号的影响。对于超高频或高频开关三极管，需防止自激现象，可能导致器件烧毁。
6. **二次击穿预防**：功率三极管使用时，避免负载电抗过大，以防发生二次击穿。此外，不要选择直流放大系数hFE过大的三极管，以防止自激振荡。
7. **操作顺序**：接入电路时，应先接通基极，保持基极电路连通，特别是在集电极和发射极有电压的情况下。
8. **三极管类型选择**：根据具体电路需求，确定三极管的类型，如NPN或PNP，BJT或MOSFET等，然后根据主要参数如集电极电流IC、电压VC、电流增益β等进行选择。
9. **开关三极管参数**：开关三极管的特征频率、开关速度、反向电流和发射极-基极饱和压降是主要关注点。特征频率高意味着开关速度快，反向电流小可以减少泄漏，发射极-基极饱和压降低则有利于降低功耗。
正确选用和处理半导体三极管需要综合考虑环境、温度、参数稳定性、热管理、电路特性等多个方面，以确保电路高效、可靠运行。
