元器件应用中的半导体三极管的极限参数介绍
106 浏览量
2020-11-22
22:46:59
上传
评论
收藏 31KB PDF 举报
元器件应用中的半导体三极管的极限参数介绍元器件应用中的半导体三极管的极限参数介绍
各种电子元器件都有一个使用极限值要求，对于半导体三极管来讲，它的主要极限参数有以下几个。 (1)集
电极最大允许电流ICM 半导体三极管允许通过的最大电流即为ICM。当集电极电流IC增大到一定程度时，β
值便会明显下降，这时三极管不至于烧坏，但已不宜使用。因此，规定尸值下降到额定值的2/3时所对应的集电
极电流为集电极最大电流ICM。 (2)集电极最大允许耗散功率PCM 集电极耗散功率实际上是集电极电流
IC和集电极电压UCE的乘积。在使用三极管时，实际功耗不允许超过PcM，还应留有较大的余量。耗散功率会
引起三极管发热，使结温升高。如果集电极的耗散功率过大，将会使集电结的温度超
各种电子元器件都有一个使用极限值要求，对于半导体三极管来讲，它的主要极限参数有以下几个。
(1)集电极最大允许电流ICM
半导体三极管允许通过的最大电流即为ICM。当集电极电流IC增大到一定程度时，β值便会明显下降，这时三极管不至于烧坏，但已不宜使用。因此，
规定尸值下降到额定值的2/3时所对应的集电极电流为集电极最大电流ICM。
(2)集电极最大允许耗散功率PCM
集电极耗散功率实际上是集电极电流IC和集电极电压UCE的乘积。在使用三极管时，实际功耗不允许超过PcM，还应留有较大的余量。耗散功率会引
起三极管发热，使结温升高。如果集电极的耗散功率过大，将会使集电结的温度超过允许值而被烧坏。为了提高PCM的数值，大功率三极管都要求加装散
热片，此时手册中给出的大功率三极管的PCM是指带有散热片时的数值。
(3)集电极一发射极反向击穿电压BVceo(Vceo)
BVceo是指三极管基极开路时，加在集电极C和发射极E之间的最大允许电压。使用不当时，则会导致三极管击穿而损坏。
(4)集电极一基极反向击穿电压BVcbo(Vcbo)
BVcbo是指三极管发射极开路时，集电结的反向最大电压。使用时，集电极与基极间的反向电压不允许超过此值的规定。
(5)发射极一基极反向击穿电压BVebo(Vebo)
BVebo是指三极管集电极开路时，发射结的反向最大电压。使用时，发射结承受的反向电压不应超过此值的规定。
资源评论
