没有合适的资源?快使用搜索试试~
我知道了~
文库首页
开发技术
其它
采用F等离子体处理的增强模式AlGaN / GaN双异质结构高电子迁移率晶体管
采用F等离子体处理的增强模式AlGaN / GaN双异质结构高电子迁移率晶体管
研究论文
0 下载量
173 浏览量
2021-03-08
18:20:47
上传
评论
收藏
490KB
PDF
举报
温馨提示
立即下载
采用F等离子体处理的增强模式AlGaN / GaN双异质结构高电子迁移率晶体管
资源推荐
资源评论
ICP氟等离子体处理增强型AlGaN / GaN纳米线沟道高电子迁移率晶体管
浏览:40
ICP氟等离子体处理增强型AlGaN / GaN纳米线沟道高电子迁移率晶体管
含氧等离子体处理增强型AlGaN / GaN纳米线沟道高电迁移率晶体管的研究
浏览:184
含氧等离子体处理增强型AlGaN / GaN纳米线沟道高电迁移率晶体管的研究
Al2O3 / AlGaN / GaN双异质结高电子迁移率晶体管中的极化诱导的远程界面电荷散射
浏览:193
Al2O3 / AlGaN / GaN双异质结高电子迁移率晶体管中的极化诱导的远程界面电荷散射
采用氧等离子体处理的隐栅准增强模式AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
浏览:31
采用氧等离子体处理的隐栅准增强模式AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析
浏览:141
表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析,杨帆,林哲雄,利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2 dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程�
AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析
浏览:136
对不同场板尺寸的AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管进行了研究,建立简化模型分析场板长度对沟道电场分布的影响.结果表明,调整钝化层厚度和场板长度都可以调制沟道电场的分布形状,当场板长度较小时,随着长度的增大...
AlGaN / GaN纳米线沟道高电子迁移率晶体管基于物理的阈值电压模型
浏览:75
AlGaN / GaN纳米线沟道高电子迁移率晶体管基于物理的阈值电压模型
论文研究-生长在半绝缘衬底上的AlGaN/GaN异质结的生长与特性 .pdf
浏览:40
生长在半绝缘衬底上的AlGaN/GaN异质结的生长与特性,梅菲,付秋明,本文研究了用射频等离子体援助分子束外延,生长在蓝宝石衬底上的Al0.30Ga0.70N/GaN异质结。20纳米的Al0.30Ga0.70N阻挡层沉积在2微米的半绝缘
具有极化P(VDF-TrFE)铁电聚合物门控的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
浏览:186
研究了极化的P(VDF-TrFE)铁电聚合物门控对AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)的影响。 通过施加电场,AlGaN / GaN MOS-HEMT的源极/漏极访问区中的P(VDF-TrFE)门被正极化(即,部分带...
表面态对AlGaN/GaN 异质结构2DEG影响的模拟分析
浏览:10
表面态对AlGaN/GaN 异质结构2DEG影响的模拟分析,杨帆,林哲雄,该文章主要利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)形成之间的关系,主要分析施主表面态电离过程及�
相邻AlGaN / GaN异质结构中阶梯状各向异性电子散射的理论研究
浏览:158
通过许多实验发现,邻近的AlGaN / GaN异质结构中的电子迁移率是高度各向异性的,这被认为是由邻近的异质界面处的台阶引起的。 但是,由于很难找到所有方向上的电子弛豫时间的通用表达式,因此对这种实验结果没有理论...
AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的储热
浏览:87
AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的储热
高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的影响
浏览:36
研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料,AlN插入层可以增加GaN层的面内压应力并提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的电学特性.在精确测量布拉格衍射角的基础上定量计算了压...
具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN_GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(英文).pdf
浏览:55
具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN_GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(英文).pdf
在对称AlGaN/GaN双量子阱中实现四能级系统
浏览:77
在对称AlGaN/GaN双量子阱中实现四能级系统,雷双瑛,,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程的方法研究了AlGaN/GaN双量子阱中的子带间跃迁。发现AlGaN/GaN双量子阱中通过加外电场或者调节双量子
Al2O3 / AlGaN / GaN双异质结中的光子限制了电子迁移率
浏览:71
Al2O3 / AlGaN / GaN双异质结中的光子限制了电子迁移率
论文研究-AlGaN/AlN/GaN HFETs 中极化库仑场散射的影响因素 .pdf
浏览:11
AlGaN/AlN/GaN HFETs 中极化库仑场散射的影响因素,刘艳,林兆军, 本文通过室温下测试得到的AlGaN/AlN/GaN HFETs的电流电压特性和电容电压特性,同时结合薛定谔方程与泊松方程自洽求解,研究了极化库仑�
Electron mobility in strained wurtzite AlGaN/GaN heterojunctions with finite-thick barriers and its pressure effect
浏览:144
有限厚垒应变纤锌矿AlGaN/GaN异质结中的电子迁移率及其压力效应,武维,班士良,基于力平衡方程,考虑界面和半空间模光学声子对电子的散射,讨论室温及高于室温下,有限厚垒应变纤锌矿氮化物AlGaN/GaN异质结中的电
行人惯性导航零速检测算法
浏览:102
行人惯性导航零速检测算法
基于CORDIC的反正弦和反余弦计算的FPGA实现
浏览:179
5星 · 资源好评率100%
基于CORDIC的反正弦和反余弦计算的FPGA实现
混合动力汽车基于规则的控制和ECMS与优化等效因子的实时能源管理策略
浏览:186
混合动力汽车基于规则的控制和ECMS与优化等效因子的实时能源管理策略
使用3DCNN和卷积LSTM进行手势识别学习时空特征
浏览:193
使用3DCNN和卷积LSTM进行手势识别学习时空特征
BA无标度网络中的SIR模型
浏览:94
BA无标度网络中的SIR模型
基于三次贝塞尔曲线的类汽车曲率连续路径平滑
浏览:64
本文重点研究在大型科学设施环境中工作的类似汽车的车辆的可行路径的生成。 考虑曲率连续性和最大曲率约束,一种新颖的路径平滑算法是根据三次贝塞尔曲线提出的。 在算法中,贝塞尔转弯和贝塞尔路径分别为发达。 Bezier 转弯首先设计用于连接两个任意配置。 然后可以通过以下方式获得贝塞尔路径使用贝塞尔曲线来拟合避免碰撞规划器提供的一系列目标点。 在算法的指导下,车辆可以以预定的方向到达目标点。 模拟实验进
基于机器学习的设备剩余寿命预测方法综述
浏览:163
基于机器学习的设备剩余寿命预测方法综述
基于无差拍预测控制和扰动观测器的永磁同步电机电流控制
浏览:83
基于无差拍预测控制和扰动观测器的永磁同步电机电流控制
基于FPGA的奇异值和特征值分解的快速实现。
浏览:134
基于FPGA的奇异值和特征值分解的快速实现。
基于BP神经网络的人口预测
浏览:38
基于BP神经网络的人口预测
评论
收藏
内容反馈
立即下载
资源评论
资源反馈
评论星级较低,若资源使用遇到问题可联系上传者,3个工作日内问题未解决可申请退款~
联系上传者
评论
weixin_38625559
粉丝: 2
资源:
949
私信
上传资源 快速赚钱
我的内容管理
展开
我的资源
快来上传第一个资源
我的收益
登录查看自己的收益
我的积分
登录查看自己的积分
我的C币
登录后查看C币余额
我的收藏
我的下载
下载帮助
前往需求广场,查看用户热搜
最新资源
The nominal Fuel Cell Stack voltage is 45Vdc and the nominal pow
编译原理-实验三-Tiny Syntax Tree
ESP32-GENERIC-C3-20240602-v1.23.0.bin
IMG_1894.JPG
axios.min.js
ST9402-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
MySQL语句-ALTER DATABASE.pdf
信息办公JSP班级管理系统-class.zip
LVGL V8.4 QT 模拟器
ST9402SRG-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
资源上传下载、课程学习等过程中有任何疑问或建议,欢迎提出宝贵意见哦~我们会及时处理!
点击此处反馈
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功